PBSS4240DPN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4240DPN  📄📄 

Маркировка: M3

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4240DPN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4240DPN даташит

 ..1. Size:435K  philips
 pbss4240dpn.pdf pdf_icon

PBSS4240DPN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PBSS4240DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product data sheet 2003 Feb 20 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4240DPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat MAX. High collector current capability IC and ICM SYMBOL PARAMETER UNIT

 ..2. Size:699K  nxp
 pbss4240dpn.pdf pdf_icon

PBSS4240DPN

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:246K  philips
 pbss4240t.pdf pdf_icon

PBSS4240DPN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS4240T 40 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 09 Supersedes data of 2001 Jul 13 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V; 2 A NPN low VCEsat PBSS4240T (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO

 6.2. Size:55K  nxp
 pbss4240y.pdf pdf_icon

PBSS4240DPN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET age MBD128 PBSS4240Y 40 V low VCEsat NPN transistor Product specification 2001 Jul 13 Philips Semiconductors Product specification 40 V low VCEsat NPN transistor PBSS4240Y FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emitter voltage 40 V Impr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4140V, PBSS4160DPN, PBSS4160DS, PBSS4160T, PBSS4160U, PBSS4160V, PBSS4220V, PBSS4230T, A1015, PBSS4240T, PBSS4240V, PBSS4240Y, PBSS4250X, PBSS4320T, PBSS4320X, PBSS4330PA, PBSS4330X