Справочник транзисторов. PBSS4240T

 

Биполярный транзистор PBSS4240T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4240T
   Маркировка: ZE*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4240T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  philips
pbss4240t.pdfpdf_icon

PBSS4240T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS4240T40 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 09Supersedes data of 2001 Jul 13 NXP Semiconductors Product data sheet40 V; 2 A NPN low VCEsat PBSS4240T(BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO

 ..2. Size:461K  nxp
pbss4240t.pdfpdf_icon

PBSS4240T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:435K  philips
pbss4240dpn.pdfpdf_icon

PBSS4240T

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302PBSS4240DPN40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduct data sheet 2003 Feb 20NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN/PNP transistorPBSS4240DPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatMAX. High collector current capability IC and ICMSYMBOL PARAMETER UNIT

 6.2. Size:55K  nxp
pbss4240y.pdfpdf_icon

PBSS4240T

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETageMBD128PBSS4240Y40 V low VCEsat NPN transistorProduct specification 2001 Jul 13Philips Semiconductors Product specification40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4240YFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage 40 V Impr

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: HUN5213 | S8550E

 

 
Back to Top

 


 
.