PBSS4540X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4540X  📄📄 

Маркировка: *1B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS4540X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4540X даташит

 ..1. Size:199K  philips
pbss4540x.pdfpdf_icon

PBSS4540X

 ..2. Size:237K  nxp
pbss4540x.pdfpdf_icon

PBSS4540X

PBSS4540X 40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 15 April 2020 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat transistor in a medium power SOT89 (SC-62) package. PNP complement PBSS5540X. 2. Features and benefits High hFE and low VCEsat at high current operation High collector current capability IC maximum 4 A High efficiency leading to less heat generation.

 6.1. Size:49K  philips
pbss4540z 1.pdfpdf_icon

PBSS4540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D087 PBSS4540Z NPN medium power transistor Preliminary specification 1999 Aug 04 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN medium power transistor PBSS4540Z FEATURES PINNING High current (max. 10 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V) 1 base Low VCEsat. 2 collector 3 emitter APPLICATIONS 4 coll

 6.2. Size:146K  philips
pbss4540z.pdfpdf_icon

PBSS4540X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage M3D087 PBSS4540Z 40 V low VCEsat NPN transistor Product data sheet 2001 Nov 14 Supersedes data of 2001 Jul 24 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN transistor PBSS4540Z FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX UNIT High current capabilities VCEO emitter-colle

Другие транзисторы: PBSS4350SS, PBSS4350T, PBSS4350X, PBSS4350Z, PBSS4420D, PBSS4440D, PBSS4480X, PBSS4520X, S8550, PBSS4540Z, PBSS4560PA, PBSS4580PA, PBSS4612PA, PBSS4620PA, PBSS4630PA, PBSS5120T, PBSS5130T