Справочник транзисторов. PBSS4580PA

 

Биполярный транзистор PBSS4580PA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4580PA
   Маркировка: AD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 95 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
   Корпус транзистора: SOT1061
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4580PA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  philips
pbss4580pa.pdfpdf_icon

PBSS4580PA

PBSS4580PA80 V, 5.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 15 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.PNP complement: PBSS5580PA.1.2 Features and benefi

 ..2. Size:285K  nxp
pbss4580pa.pdfpdf_icon

PBSS4580PA

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 8.1. Size:49K  philips
pbss4540z 1.pdfpdf_icon

PBSS4580PA

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PBSS4540ZNPN medium power transistorPreliminary specification 1999 Aug 04Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN medium power transistor PBSS4540ZFEATURES PINNING High current (max. 10 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V)1 base Low VCEsat.2 collector3 emitterAPPLICATIONS4 coll

 8.2. Size:199K  philips
pbss4540x.pdfpdf_icon

PBSS4580PA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS4540X40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2004 Jun 11NXP Semiconductors Product data sheet40 V, 5 A PBSS4540XNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA High hFE and low VCEsat at high current operationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: ZTX4403K | HA7631 | CMXT2207

 

 
Back to Top

 


 
.