Справочник транзисторов. PBSS5140V

 

Биполярный транзистор PBSS5140V Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS5140V
   Маркировка: 25
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT666
 

 Аналог (замена) для PBSS5140V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5140V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  philips
pbss5140v.pdfpdf_icon

PBSS5140V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744PBSS5140V40 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Mar 20Supersedes data of 2001 Oct 19NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat PNP transistorPBSS5140VFEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipationSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin VCEO coll

 6.1. Size:99K  philips
pbss5140t.pdfpdf_icon

PBSS5140V

PBSS5140T40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistorRev. 04 29 July 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB)small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4140T.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 6.2. Size:55K  philips
pbss5140t 1.pdfpdf_icon

PBSS5140V

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PBSS5140TPNP BISS transistorProduct specification 2000 Nov 16Philips Semiconductors Product specificationPNP BISS transistor PBSS5140TFEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage ensures1 basereduced power consumption.2 emitter3 collectorAPPLICATIONS

 6.3. Size:270K  philips
pbss5140u.pdfpdf_icon

PBSS5140V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETageM3D102PBSS5140U40 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2001 Jul 20Supersedes data of 2001 Mar 27NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat PNP transistorPBSS5140UFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitte

Другие транзисторы... PBSS4580PA , PBSS4612PA , PBSS4620PA , PBSS4630PA , PBSS5120T , PBSS5130T , PBSS5140T , PBSS5140U , TIP31 , PBSS5160DS , PBSS5160T , PBSS5160U , PBSS5160V , PBSS5220T , PBSS5220V , PBSS5230T , PBSS5240T .

 

 
Back to Top

 


 
.