PBSS5140V - описание и поиск аналогов

 

PBSS5140V - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5140V
   Маркировка: 25
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT666

 Аналоги (замена) для PBSS5140V

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5140V - технические параметры

 ..1. Size:249K  philips
pbss5140v.pdfpdf_icon

PBSS5140V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PBSS5140V 40 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2002 Mar 20 Supersedes data of 2001 Oct 19 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat PNP transistor PBSS5140V FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin VCEO coll

 6.1. Size:99K  philips
pbss5140t.pdfpdf_icon

PBSS5140V

PBSS5140T 40 V, 1 A PNP low VCEsat BISS transistor Rev. 04 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS4140T. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current

 6.2. Size:55K  philips
pbss5140t 1.pdfpdf_icon

PBSS5140V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PBSS5140T PNP BISS transistor Product specification 2000 Nov 16 Philips Semiconductors Product specification PNP BISS transistor PBSS5140T FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage ensures 1 base reduced power consumption. 2 emitter 3 collector APPLICATIONS

 6.3. Size:270K  philips
pbss5140u.pdfpdf_icon

PBSS5140V

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET age M3D102 PBSS5140U 40 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2001 Jul 20 Supersedes data of 2001 Mar 27 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat PNP transistor PBSS5140U FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emitte

Другие транзисторы... PBSS4580PA , PBSS4612PA , PBSS4620PA , PBSS4630PA , PBSS5120T , PBSS5130T , PBSS5140T , PBSS5140U , 8050 , PBSS5160DS , PBSS5160T , PBSS5160U , PBSS5160V , PBSS5220T , PBSS5220V , PBSS5230T , PBSS5240T .

 

 
Back to Top

 


 
.