PBSS5320D - описание и поиск аналогов

 

PBSS5320D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5320D
   Маркировка: 52
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT457 SC74

 Аналоги (замена) для PBSS5320D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5320D - технические параметры

 ..1. Size:125K  philips
pbss5320d.pdfpdf_icon

PBSS5320D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET fpage MBD128 PBSS5320D 20 V low VCEsat PNP transistor Product data sheet 2002 Jun 12 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V low VCEsat PNP transistor PBSS5320D FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emitter voltage -20 V Improved

 ..2. Size:337K  nxp
pbss5320d.pdfpdf_icon

PBSS5320D

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:171K  philips
pbss5320t.pdfpdf_icon

PBSS5320D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 15 Supersedes data of 2002 Aug 08 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 3 A PBSS5320T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT corresponding low RCEsa

 6.2. Size:196K  philips
pbss5320x.pdfpdf_icon

PBSS5320D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Nov 27 NXP Semiconductors Product data sheet 20 V, 3 A PBSS5320X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

Другие транзисторы... PBSS5220T , PBSS5220V , PBSS5230T , PBSS5240T , PBSS5240V , PBSS5240Y , PBSS5250T , PBSS5250X , A1013 , PBSS5320T , PBSS5320X , PBSS5330PA , PBSS5330X , PBSS5350D , PBSS5350SS , PBSS5350T , PBSS5350X .

 

 
Back to Top

 


 
.