Справочник транзисторов. PBSS5320D

 

Биполярный транзистор PBSS5320D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS5320D
   Маркировка: 52
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT457 SC74
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5320D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  philips
pbss5320d.pdfpdf_icon

PBSS5320D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETfpageMBD128PBSS5320D20 V low VCEsat PNP transistorProduct data sheet 2002 Jun 12NXP Semiconductors Product data sheet20 V low VCEsat PNP transistorPBSS5320DFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage -20 V Improved

 ..2. Size:337K  nxp
pbss5320d.pdfpdf_icon

PBSS5320D

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:171K  philips
pbss5320t.pdfpdf_icon

PBSS5320D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS5320T20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 15Supersedes data of 2002 Aug 08NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and SYMBOL PARAMETER MAX. UNITcorresponding low RCEsa

 6.2. Size:196K  philips
pbss5320x.pdfpdf_icon

PBSS5320D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5320X20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Nov 27NXP Semiconductors Product data sheet20 V, 3 A PBSS5320XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC1910 | 2N5121 | MJE344K | BC337 | PMBT2222AQA | 2SB1409S | 2N5832

 

 
Back to Top

 


 
.