PBSS5580PA - описание и поиск аналогов

 

PBSS5580PA - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS5580PA
   Маркировка: AF
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT1061

 Аналоги (замена) для PBSS5580PA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5580PA - технические параметры

 ..1. Size:166K  philips
pbss5580pa.pdfpdf_icon

PBSS5580PA

PBSS5580PA 80 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 6 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4580PA. 1.2 Features and benefits

 8.1. Size:201K  philips
pbss5520x.pdfpdf_icon

PBSS5580PA

 8.2. Size:193K  philips
pbss5540x.pdfpdf_icon

PBSS5580PA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5540X 40 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2004 Jan 15 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V, 5 A PBSS5540X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT

 8.3. Size:166K  philips
pbss5560pa.pdfpdf_icon

PBSS5580PA

PBSS5560PA 60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 21 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. NPN complement PBSS4560PA. 1.2 Features and benefits

Другие транзисторы... PBSS5350Z , PBSS5420D , PBSS5440D , PBSS5480X , PBSS5520X , PBSS5540X , PBSS5540Z , PBSS5560PA , BC556 , PBSS5612PA , PBSS5620PA , PBSS5630PA , PBSS8110D , PBSS8110T , PBSS8110X , PBSS8110Y , PBSS8110Z .

 

 
Back to Top

 


 
.