PBSS8110Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS8110Y  📄📄 

Маркировка: 81*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.29 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT363 SC88

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS8110Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS8110Y даташит

 ..1. Size:163K  nxp
 pbss8110y.pdf pdf_icon

PBSS8110Y

PBSS8110Y 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 21 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat transistor in a SOT363 (SC-88) plastic package. 1.2 Features SOT363 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency reduces heat generation 1.3 Applicati

 6.1. Size:150K  nxp
 pbss8110d.pdf pdf_icon

PBSS8110Y

PBSS8110D 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat transistor in a plastic SOT457 (SC-74) package. 1.2 Features SOT457 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High efficiency, leading to less heat generation 1.3

 6.2. Size:135K  nxp
 pbss8110x.pdf pdf_icon

PBSS8110Y

PBSS8110X 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 11 May 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. PNP complement PBSS9110X. 1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capabili

 6.3. Size:123K  nxp
 pbss8110t.pdf pdf_icon

PBSS8110Y

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PBSS8110T 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Dec 22 Supersedes data of 2003 Jul 28 Philips Semiconductors Product specification 100 V, 1 A PBSS8110T NPN low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT SOT23 package VCEO collector-emitter voltag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5560PA, PBSS5580PA, PBSS5612PA, PBSS5620PA, PBSS5630PA, PBSS8110D, PBSS8110T, PBSS8110X, MPSA42, PBSS8110Z, PBSS8510PA, PBSS9110D, PBSS9110T, PBSS9110X, PBSS9110Y, PBSS9110Z, PBSS9410PA