PBSS9110D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS9110D  📄📄 

Маркировка: A7

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT457 SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PBSS9110D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS9110D даташит

 ..1. Size:166K  nxp
 pbss9110d.pdf pdf_icon

PBSS9110D

PBSS9110D 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 22 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS8110D. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 6.1. Size:180K  philips
 pbss9110t.pdf pdf_icon

PBSS9110D

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PBSS9110T 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 May 13 Supersedes data of 2004 May 06 NXP Semiconductors Product data sheet 100 V, 1 A PBSS9110T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT23 package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturatio

 6.2. Size:184K  nxp
 pbss9110x.pdf pdf_icon

PBSS9110D

PBSS9110X 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 22 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package. NPN complement PBSS8110X. 1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current ca

 6.3. Size:188K  nxp
 pbss9110z.pdf pdf_icon

PBSS9110D

PBSS9110Z 100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBSS8110Z. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS5620PA, PBSS5630PA, PBSS8110D, PBSS8110T, PBSS8110X, PBSS8110Y, PBSS8110Z, PBSS8510PA, S9018, PBSS9110T, PBSS9110X, PBSS9110Y, PBSS9110Z, PBSS9410PA, PDTA113EE, PDTA113EM, PDTA113ET