Справочник транзисторов. PBSS9110X

 

Биполярный транзистор PBSS9110X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS9110X
   Маркировка: *4C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для PBSS9110X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS9110X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  nxp
pbss9110x.pdfpdf_icon

PBSS9110X

PBSS9110X100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 22 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/ TO-243) SMD plastic package.NPN complement: PBSS8110X.1.2 Features SOT89 package Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current ca

 6.1. Size:180K  philips
pbss9110t.pdfpdf_icon

PBSS9110X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PBSS9110T100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 May 13Supersedes data of 2004 May 06NXP Semiconductors Product data sheet100 V, 1 A PBSS9110TPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT23 packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturatio

 6.2. Size:188K  nxp
pbss9110z.pdfpdf_icon

PBSS9110X

PBSS9110Z100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 11 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS8110Z.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

 6.3. Size:166K  nxp
pbss9110d.pdfpdf_icon

PBSS9110X

PBSS9110D100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 03 22 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS8110D.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector cu

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: TP4965

 

 
Back to Top

 


 
.