PDTA113EU - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор PDTA113EU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: PDTA113EU
   Маркировка: -14_*14_p14_t14_W14
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT323

Аналоги (замена) для PDTA113EU

PDTA113EU Datasheet (PDF)

6.1. Size:113K philips
pdta113e ser.pdf

PDTA113E seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 05 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPNcomplementNXP JEITA JEDECPDTA113EE SOT416 SC-75 - PDTC113EEPDTA113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTC113EKPDTA113EM SOT883 SC-101

6.2. Size:113K nxp
pdta113ek pdta113es.pdf