PDTA114ET datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA114ET  📄📄 

Маркировка: *03_p03_t03_W03

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA114ET

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114ET даташит

 ..1. Size:56K  motorola
pdta114et 5.pdfpdf_icon

PDTA114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTA114ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns 3

 ..2. Size:56K  philips
pdta114et 5.pdfpdf_icon

PDTA114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTA114ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns 3

 ..3. Size:859K  nxp
pdta114ee pdta114em pdta114et pdta114eu.pdfpdf_icon

PDTA114ET

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:58K  motorola
pdta114eu 6.pdfpdf_icon

PDTA114ET

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

Другие транзисторы: PDTA113ET, PDTA113EU, PDTA113ZE, PDTA113ZM, PDTA113ZT, PDTA113ZU, PDTA114EE, PDTA114EM, 2N3904, PDTA114EU, PDTA114TE, PDTA114TM, PDTA114TT, PDTA114TU, PDTA114YE, PDTA114YM, PDTA114YT