PDTA114TM - описание и поиск аналогов

 

PDTA114TM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA114TM
   Маркировка: DE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT883

 Аналоги (замена) для PDTA114TM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114TM - технические параметры

 0.1. Size:611K  nxp
 pdta114tmb.pdf pdf_icon

PDTA114TM

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:29K  motorola
 pdta114te sot416.pdf pdf_icon

PDTA114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 6.2. Size:51K  motorola
 pdta114tt 3.pdf pdf_icon

PDTA114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA114TT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduce

 6.3. Size:53K  motorola
 pdta114tk 3.pdf pdf_icon

PDTA114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTA114TK PNP resistor-equipped transistor 1998 May 15 Product specification Supersedes data of 1997 Sep 05 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTA113ZM , PDTA113ZT , PDTA113ZU , PDTA114EE , PDTA114EM , PDTA114ET , PDTA114EU , PDTA114TE , C945 , PDTA114TT , PDTA114TU , PDTA114YE , PDTA114YM , PDTA114YT , PDTA114YU , PDTA115EE , PDTA115EM .

History: PBSS9410PA | PDTA114EM

 

 
Back to Top

 


 
.