Справочник транзисторов. PDTA114TM

 

Биполярный транзистор PDTA114TM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA114TM
   Маркировка: DE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT883
 

 Аналог (замена) для PDTA114TM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114TM Datasheet (PDF)

 0.1. Size:611K  nxp
pdta114tmb.pdfpdf_icon

PDTA114TM

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

PDTA114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

 6.2. Size:51K  motorola
pdta114tt 3.pdfpdf_icon

PDTA114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA114TTPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Objective specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TTFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design3handbook, 4 columns Reduce

 6.3. Size:53K  motorola
pdta114tk 3.pdfpdf_icon

PDTA114TM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTA114TKPNP resistor-equipped transistor1998 May 15Product specificationSupersedes data of 1997 Sep 05File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TKFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit desi

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SUR540EF | MJE5170

 

 
Back to Top

 


 
.