PDTA114TU - описание и поиск аналогов

 

PDTA114TU - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTA114TU
   Маркировка: -23_*23_p23_t23_W23
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для PDTA114TU

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114TU - технические параметры

 ..1. Size:54K  motorola
pdta114tu 3.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114TU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TU FEATURES Built-in bias resistor R1(typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduces num

 ..2. Size:54K  philips
pdta114tu 3.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114TU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TU FEATURES Built-in bias resistor R1(typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduces num

 6.1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 6.2. Size:51K  motorola
pdta114tt 3.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA114TT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduce

Другие транзисторы... PDTA113ZU , PDTA114EE , PDTA114EM , PDTA114ET , PDTA114EU , PDTA114TE , PDTA114TM , PDTA114TT , 2N5401 , PDTA114YE , PDTA114YM , PDTA114YT , PDTA114YU , PDTA115EE , PDTA115EM , PDTA115ET , PDTA115EU .

 

 
Back to Top

 


 
.