PDTA114TU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA114TU  📄📄 

Маркировка: -23_*23_p23_t23_W23

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA114TU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114TU даташит

 ..1. Size:54K  motorola
pdta114tu 3.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114TU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TU FEATURES Built-in bias resistor R1(typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduces num

 ..2. Size:54K  philips
pdta114tu 3.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114TU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 15 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TU FEATURES Built-in bias resistor R1(typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduces num

 6.1. Size:29K  motorola
pdta114te sot416.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA114TE PNP resistor-equipped transistor Preliminary specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design R

 6.2. Size:51K  motorola
pdta114tt 3.pdfpdf_icon

PDTA114TU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTA114TT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduce

Другие транзисторы: PDTA113ZU, PDTA114EE, PDTA114EM, PDTA114ET, PDTA114EU, PDTA114TE, PDTA114TM, PDTA114TT, 2N5401, PDTA114YE, PDTA114YM, PDTA114YT, PDTA114YU, PDTA115EE, PDTA115EM, PDTA115ET, PDTA115EU