Справочник транзисторов. PDTA114YT

 

Биполярный транзистор PDTA114YT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA114YT
   Маркировка: *29_p29_t29_W29
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PDTA114YT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA114YT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  nxp
 pdta114ye pdta114ym pdta114yt pdta114yu.pdf pdf_icon

PDTA114YT

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:174K  philips
 pdta114y series.pdf pdf_icon

PDTA114YT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTA114Y seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Aug 02Supersedes data of 2003 Sep 09NXP Semiconductors Product data sheetPNP resistor-equipped transistors; PDTA114Y seriesR1 = 10 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 6.2. Size:2790K  nxp
 pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdf pdf_icon

PDTA114YT

PDTA143X/123J/143Z/114YQA series50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsRev. 1 30 October 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.Table 1. Product overviewType

 7.1. Size:29K  motorola
 pdta114te sot416.pdf pdf_icon

PDTA114YT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA114TEPNP resistor-equipped transistorPreliminary specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 14File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA114TEFEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k) Simplification of circuit design R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TK40C | MJF10012 | 2SA609 | 2SC1882 | KSE210 | PBSS5240X

 

 
Back to Top

 


 
.