Справочник транзисторов. PDTA123JU

 

Биполярный транзистор PDTA123JU Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA123JU
   Маркировка: *43_p43_t43_W43
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA123JU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1050K  nxp
pdta123je pdta123jm pdta123jt pdta123ju.pdfpdf_icon

PDTA123JU

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:54K  motorola
pdta123jef 1.pdfpdf_icon

PDTA123JU

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA123JEFPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 6.2. Size:57K  motorola
pdta123je 2.pdfpdf_icon

PDTA123JU

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA123JEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1998 Nov 25Supersedes data of 1997 Dec 15Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)handbook, halfpage33 Simplification of circuit d

 6.3. Size:56K  motorola
pdta123jt 1.pdfpdf_icon

PDTA123JU

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTA123JTPNP resistor-equipped transistor1999 May 27Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA123JTFEATURES Built-in bias resistors (typ 2.2 kand 47 k respectively)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design3 Reduces number

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2N5427 | PDTA123ES | BC183CP | BC183K | MBT3906DW1 | 2N5606 | ME0401

 

 
Back to Top

 


 
.