Справочник транзисторов. PDTA124XE

 

Биполярный транзистор PDTA124XE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA124XE
   Маркировка: 31
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для PDTA124XE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA124XE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  motorola
 pdta124xe 3.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA124XEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 Nov 25Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 ..2. Size:55K  philips
 pdta124xe 3.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA124XEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 Nov 25Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 0.1. Size:54K  motorola
 pdta124xef 2.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA124XEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 25Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 16Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k

 0.2. Size:54K  philips
 pdta124xef 2.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA124XEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 25Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 16Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTA124EE , PDTA124EM , PDTA124ET , PDTA124EU , PDTA124TE , PDTA124TM , PDTA124TT , PDTA124TU , 2SC1815 , PDTA124XM , PDTA124XT , PDTA124XU , PDTA143EE , PDTA143EM , PDTA143ET , PDTA143EU , PDTA143TE .

History: PDTC115TT | MZT3055

 

 
Back to Top

 


 
.