Справочник транзисторов. PDTA124XE

 

Биполярный транзистор PDTA124XE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: PDTA124XE
   Маркировка: 31
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT416

 Аналоги (замена) для PDTA124XE

 

 

PDTA124XE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  motorola
pdta124xe 3.pdf

PDTA124XE
PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA124XEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 Nov 25Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 ..2. Size:55K  philips
pdta124xe 3.pdf

PDTA124XE
PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA124XEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 Nov 25Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 0.1. Size:54K  motorola
pdta124xef 2.pdf

PDTA124XE
PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA124XEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 25Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 16Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k

 0.2. Size:54K  philips
pdta124xef 2.pdf

PDTA124XE
PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTA124XEFPNP resistor-equipped transistor1999 May 25Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 16Philips Semiconductors Preliminary specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124XEFFEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k

 0.3. Size:83K  nxp
pdta124xef pdta124xk pdta124xs.pdf

PDTA124XE
PDTA124XE

PDTA124X seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 47 kRev. 08 3 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTA124XE SOT416 SC-75 - PDTC124XEPDTA124XEF SOT490 SC-89 - PDTC124XEFPDTA124XK SOT346 SC-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top