PDTA124XE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA124XE  📄📄 

Маркировка: 31

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTA124XE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA124XE даташит

 ..1. Size:55K  motorola
 pdta124xe 3.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124XE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 Nov 25 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 ..2. Size:55K  philips
 pdta124xe 3.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124XE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1999 May 21 Supersedes data of 1998 Nov 25 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design Reduces number of

 0.1. Size:54K  motorola
 pdta124xef 2.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA124XEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 25 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 16 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k

 0.2. Size:54K  philips
 pdta124xef 2.pdf pdf_icon

PDTA124XE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTA124XEF PNP resistor-equipped transistor 1999 May 25 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 16 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124XEF FEATURES PINNING Power dissipation comparable to SOT23 PIN DESCRIPTION Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA124EE, PDTA124EM, PDTA124ET, PDTA124EU, PDTA124TE, PDTA124TM, PDTA124TT, PDTA124TU, TIP35C, PDTA124XM, PDTA124XT, PDTA124XU, PDTA143EE, PDTA143EM, PDTA143ET, PDTA143EU, PDTA143TE