PDTA143XM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PDTA143XM 📄📄
Маркировка: DN
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT883
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PDTA143XM
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PDTA143XM даташит
pdta143xe 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA143XE PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit design R1 1 Reduces numbe
pdta143xt 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTA143XT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ.4.7 k and 10 k respectively) 3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns 3 Reduces
pdta143xe 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA143XE PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit design R1 1 Reduces numbe
pdta143xt 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTA143XT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ.4.7 k and 10 k respectively) 3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns 3 Reduces
Другие транзисторы: PDTA143EM, PDTA143ET, PDTA143EU, PDTA143TE, PDTA143TM, PDTA143TT, PDTA143TU, PDTA143XE, C3198, PDTA143XT, PDTA143XU, PDTA143ZE, PDTA143ZM, PDTA143ZT, PDTA143ZU, PDTA144EE, PDTA144EM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet






