Биполярный транзистор PDTA143XM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTA143XM
Маркировка: DN
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT883
Аналоги (замена) для PDTA143XM
PDTA143XM Datasheet (PDF)
pdta143xe 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA143XEPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 krespectively)handbook, halfpage33 Simplification of circuit designR11 Reduces numbe
pdta143xt 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTA143XTPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ.4.7 k and 10 k respectively)3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns3 Reduces
pdta143xe 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA143XEPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 krespectively)handbook, halfpage33 Simplification of circuit designR11 Reduces numbe
pdta143xt 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTA143XTPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ.4.7 k and 10 k respectively)3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns3 Reduces
pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdf
PDTA143X/123J/143Z/114YQA series50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsRev. 1 30 October 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.Table 1. Product overviewType
pdta143x.pdf
PDTA143X seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 10 kRev. 04 16 April 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITA JEDECPDTA143XE SOT416 SC-75 - PDTC143XEPDTA143XK SOT346 SC-59A TO-236 PDT
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
