PDTC114TE datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PDTC114TE 📄📄
Маркировка: 24
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT416
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PDTC114TE
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PDTC114TE даташит
pdtc114te 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114TE NPN resistor-equipped transistor 1998 Aug 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 11 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design Reduces
pdtc114te 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC114TE NPN resistor-equipped transistor 1998 Aug 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 11 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TE FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design Reduces
pdtc114ts 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TS FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
pdtc114tk 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
Другие транзисторы: PDTB113ZT, PDTB123ET, PDTB123TT, PDTB123YT, PDTC114EE, PDTC114EM, PDTC114ET, PDTC114EU, D882P, PDTC114TM, PDTC114TT, PDTC114TU, PDTC114YE, PDTC114YM, PDTC114YT, PDTC114YU, PDTC115EE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998












