PDTC114TT datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PDTC114TT 📄📄
Маркировка: -12_p12_t12_W12
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PDTC114TT
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PDTC114TT даташит
pdtc114tt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC114TT NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduces
pdtc114tt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC114TT NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 19 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TT FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit design 3 handbook, 4 columns Reduces
pdtc114ts 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC114TS NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TS FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
pdtc114tk 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC114TK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 May 28 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114TK FEATURES Built-in bias resistor R1 (typ. 10 k ) Simplification of circuit desi
Другие транзисторы: PDTB123TT, PDTB123YT, PDTC114EE, PDTC114EM, PDTC114ET, PDTC114EU, PDTC114TE, PDTC114TM, TIP120, PDTC114TU, PDTC114YE, PDTC114YM, PDTC114YT, PDTC114YU, PDTC115EE, PDTC115EM, PDTC115ET
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603












