PDTC115TM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC115TM  📄📄 

Маркировка: G5

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT883

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC115TM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC115TM даташит

 6.1. Size:70K  philips
 pdtc115tk pdtc115ts.pdf pdf_icon

PDTC115TM

PDTC115T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = open Rev. 04 17 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA PDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TE PDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TK PDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM [1] PD

 6.2. Size:71K  philips
 pdtc115t ser.pdf pdf_icon

PDTC115TM

PDTC115T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = open Rev. 04 17 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA PDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TE PDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TK PDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM [1] PD

 7.1. Size:182K  philips
 pdtc115e series.pdf pdf_icon

PDTC115TM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 7.2. Size:138K  nxp
 pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf pdf_icon

PDTC115TM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC114YM, PDTC114YT, PDTC114YU, PDTC115EE, PDTC115EM, PDTC115ET, PDTC115EU, PDTC115TE, 2N3904, PDTC115TT, PDTC115TU, PDTC123EE, PDTC123EM, PDTC123ET, PDTC123EU, PDTC123JE, PDTC123JM