PDTC123EU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC123EU  📄📄 

Маркировка: *48_p48_t48_W48

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC123EU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123EU даташит

 6.1. Size:55K  motorola
 pdtc123et 3.pdf pdf_icon

PDTC123EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123ET NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

 6.2. Size:182K  philips
 pdtc123e series.pdf pdf_icon

PDTC123EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Mar 18 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

 6.3. Size:55K  philips
 pdtc123et 3.pdf pdf_icon

PDTC123EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123ET NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k each) Simplification of circuit design Reduces number of co

 6.4. Size:139K  nxp
 pdtc123eef pdtc123ek pdtc123es.pdf pdf_icon

PDTC123EU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Mar 18 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC123E series R1 = 2.2 k , R2 = 2.2 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC115EU, PDTC115TE, PDTC115TM, PDTC115TT, PDTC115TU, PDTC123EE, PDTC123EM, PDTC123ET, 2N3055, PDTC123JE, PDTC123JM, PDTC123JT, PDTC123JU, PDTC123TE, PDTC123TM, PDTC123TT, PDTC123TU