Справочник транзисторов. PDTC123JM

 

Биполярный транзистор PDTC123JM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC123JM
   Маркировка: DW_G1
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT883
 

 Аналог (замена) для PDTC123JM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123JM Datasheet (PDF)

 6.1. Size:54K  motorola
 pdtc123jef 1.pdf pdf_icon

PDTC123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 6.2. Size:55K  motorola
 pdtc123je 3.pdf pdf_icon

PDTC123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC123JENPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage33

 6.3. Size:56K  motorola
 pdtc123jt 3.pdf pdf_icon

PDTC123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123JTNPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design

 6.4. Size:54K  philips
 pdtc123jef 1.pdf pdf_icon

PDTC123JM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC115TM , PDTC115TT , PDTC115TU , PDTC123EE , PDTC123EM , PDTC123ET , PDTC123EU , PDTC123JE , A1015 , PDTC123JT , PDTC123JU , PDTC123TE , PDTC123TM , PDTC123TT , PDTC123TU , PDTC123YE , PDTC123YM .

History: BC158 | BC326 | BC179CP | 2SC377 | STPSA42 | PDTA115TE | BC325

 

 
Back to Top

 


 
.