PDTC123TT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC123TT  📄📄 

Маркировка: pZM_tZM_WZM_-ZM_ZM*

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC123TT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123TT даташит

 6.1. Size:78K  philips
 pdtc123tk pdtc123ts pdtc123t ser.pdf pdf_icon

PDTC123TT

PDTC123T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = open Rev. 01 10 March 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA JEDEC PDTC123TE SOT416 SC-75 - PDTA123TE PDTC123TK

 7.1. Size:54K  motorola
 pdtc123jef 1.pdf pdf_icon

PDTC123TT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 7.2. Size:55K  motorola
 pdtc123je 3.pdf pdf_icon

PDTC123TT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

 7.3. Size:56K  motorola
 pdtc123jt 3.pdf pdf_icon

PDTC123TT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PDTC123JT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC123ET, PDTC123EU, PDTC123JE, PDTC123JM, PDTC123JT, PDTC123JU, PDTC123TE, PDTC123TM, TIP122, PDTC123TU, PDTC123YE, PDTC123YM, PDTC123YT, PDTC123YU, PDTC124EE, PDTC124EM, PDTC124ET