Справочник транзисторов. PDTC124EE

 

Биполярный транзистор PDTC124EE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC124EE
   Маркировка: 6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для PDTC124EE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124EE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  motorola
 pdtc124ee 2.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC124EENPN resistor-equipped transistor1998 Jul 31Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 11File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification of circuit design

 ..2. Size:57K  philips
 pdtc124ee 2.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC124EENPN resistor-equipped transistor1998 Jul 31Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 11File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification of circuit design

 6.1. Size:56K  motorola
 pdtc124et 5.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTC124ETNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design3

 6.2. Size:58K  motorola
 pdtc124es 2.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC124ESNPN resistor-equipped transistor1998 May 08Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC123TE , PDTC123TM , PDTC123TT , PDTC123TU , PDTC123YE , PDTC123YM , PDTC123YT , PDTC123YU , TIP122 , PDTC124EM , PDTC124ET , PDTC124EU , PDTC124TE , PDTC124TM , PDTC124TT , PDTC124TU , PDTC124XE .

History: 2SA1298-Y

 

 
Back to Top

 


 
.