PDTC124EE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC124EE  📄📄 

Маркировка: 6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT416

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC124EE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124EE даташит

 ..1. Size:57K  motorola
 pdtc124ee 2.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 11 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification of circuit design

 ..2. Size:57K  philips
 pdtc124ee 2.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 11 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification of circuit design

 6.1. Size:56K  motorola
 pdtc124et 5.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC124ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

 6.2. Size:58K  motorola
 pdtc124es 2.pdf pdf_icon

PDTC124EE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC124ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 08 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC123TE, PDTC123TM, PDTC123TT, PDTC123TU, PDTC123YE, PDTC123YM, PDTC123YT, PDTC123YU, BC557, PDTC124EM, PDTC124ET, PDTC124EU, PDTC124TE, PDTC124TM, PDTC124TT, PDTC124TU, PDTC124XE