Биполярный транзистор PDTC124EU Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PDTC124EU
Маркировка: p06_t06_t17_W06
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT323
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PDTC124EU Datasheet (PDF)
pdtc124eu 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC124EUNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdtc124eu 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC124EUNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124EUFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdtc124et 5.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTC124ETNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design3
pdtc124es 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC124ESNPN resistor-equipped transistor1998 May 08Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification o
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N5321W | 2N3614 | BC183CP | BC183K | RN1510 | 2N5606 | ME0401
History: 2N5321W | 2N3614 | BC183CP | BC183K | RN1510 | 2N5606 | ME0401



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor