PDTC124EU - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDTC124EU
Маркировка: p06_t06_t17_W06
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для PDTC124EU
PDTC124EU - технические параметры
pdtc124eu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC124EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdtc124eu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC124EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design
pdtc124et 5.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC124ET NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 May 08 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3
pdtc124es 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC124ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 08 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o
Другие транзисторы... PDTC123TU , PDTC123YE , PDTC123YM , PDTC123YT , PDTC123YU , PDTC124EE , PDTC124EM , PDTC124ET , 2N3906 , PDTC124TE , PDTC124TM , PDTC124TT , PDTC124TU , PDTC124XE , PDTC124XM , PDTC124XT , PDTC124XU .
History: NA22F | PDTC114TU | NA22XI | KMDT3904
History: NA22F | PDTC114TU | NA22XI | KMDT3904
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor












