Справочник транзисторов. PDTC124XT

 

Биполярный транзистор PDTC124XT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC124XT
   Маркировка: -46_*46_p46_t46_W46
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PDTC124XT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124XT Datasheet (PDF)

 6.1. Size:54K  motorola
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

PDTC124XT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC124XEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 18Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124XEFFEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively)3ha

 6.2. Size:55K  motorola
 pdtc124xe 3.pdf pdf_icon

PDTC124XT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC124XENPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 Sep 21Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage

 6.3. Size:54K  philips
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

PDTC124XT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC124XEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 18Preliminary specificationSupersedes data of 1998 Nov 11Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124XEFFEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively)3ha

 6.4. Size:55K  philips
 pdtc124xe 3.pdf pdf_icon

PDTC124XT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC124XENPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 Sep 21Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC124ET , PDTC124EU , PDTC124TE , PDTC124TM , PDTC124TT , PDTC124TU , PDTC124XE , PDTC124XM , S9014 , PDTC124XU , PDTC143EE , PDTC143EM , PDTC143ET , PDTC143EU , PDTC143TE , PDTC143TM , PDTC143TT .

History: NB121EJ

 

 
Back to Top

 


 
.