PDTC143EE datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PDTC143EE 📄📄
Маркировка: 2
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT416
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для PDTC143EE
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PDTC143EE даташит
pdtc143ee 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC143EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification of circuit desig
pdtc143ee 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC143EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification of circuit desig
pdtc143ek 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC143EK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 18 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 16 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) 3 Simplificati
pdtc143eu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC143EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 14 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 typ. 4.7 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design
Другие транзисторы: PDTC124TE, PDTC124TM, PDTC124TT, PDTC124TU, PDTC124XE, PDTC124XM, PDTC124XT, PDTC124XU, BC327, PDTC143EM, PDTC143ET, PDTC143EU, PDTC143TE, PDTC143TM, PDTC143TT, PDTC143TU, PDTC143XE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632