PDTC143TE - описание и поиск аналогов

 

PDTC143TE - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC143TE
   Маркировка: 40
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT416

 Аналоги (замена) для PDTC143TE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC143TE - технические параметры

 0.1. Size:134K  nxp
pdtc143tef pdtc143tk pdtc143ts.pdfpdf_icon

PDTC143TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC143T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC143T series R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 6.1. Size:51K  motorola
pdtc143tt 2.pdfpdf_icon

PDTC143TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC143TT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143TT FEATURES PINNING Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design 1 base/input

 6.2. Size:174K  philips
pdtc143t series.pdfpdf_icon

PDTC143TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC143T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC143T series R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 6.3. Size:51K  philips
pdtc143tt 2.pdfpdf_icon

PDTC143TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC143TT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143TT FEATURES PINNING Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design 1 base/input

Другие транзисторы... PDTC124XE , PDTC124XM , PDTC124XT , PDTC124XU , PDTC143EE , PDTC143EM , PDTC143ET , PDTC143EU , MJE340 , PDTC143TM , PDTC143TT , PDTC143TU , PDTC143XE , PDTC143XM , PDTC143XT , PDTC143XU , PDTC143ZE .

History: 9015A

 

 
Back to Top

 


 
.