Биполярный транзистор PDTC143ZT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTC143ZT
Маркировка: p18_t18_W18
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PDTC143ZT
PDTC143ZT Datasheet (PDF)
pdtc143zt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143ZTNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZTFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 47 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc143zt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143ZTNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZTFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 47 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc143zk 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC143ZKNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 and 47 krespectively) Simplification of circuit design33
pdtc143zk 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC143ZKNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 and 47 krespectively) Simplification of circuit design33
pdtc143z series.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC143Z seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Aug 16Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC143Z seriesR1 = 4.7 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: FA4A4M