Биполярный транзистор PDTC143ZU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTC143ZU
Маркировка: *54_p54_t54_W54
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для PDTC143ZU
PDTC143ZU Datasheet (PDF)
pdtc143zk 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC143ZKNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 and 47 krespectively) Simplification of circuit design33
pdtc143zt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143ZTNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZTFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 47 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc143zk 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D114PDTC143ZKNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZKFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 and 47 krespectively) Simplification of circuit design33
pdtc143zt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143ZTNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143ZTFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 47 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc143z series.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC143Z seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Aug 16Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC143Z seriesR1 = 4.7 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050