Биполярный транзистор PDTC144WM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTC144WM
Маркировка: DD
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT883
Аналоги (замена) для PDTC144WM
PDTC144WM Datasheet (PDF)
pdtc144wt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC144WTNPN resistor-equipped transistor1999 May 25Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC144WTFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc144wu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC144WUNPN resistor-equipped transistor1999 May 25Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC144WUFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc144wt 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC144WTNPN resistor-equipped transistor1999 May 25Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC144WTFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc144wu 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTC144WUNPN resistor-equipped transistor1999 May 25Product specificationSupersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC144WUFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input
pdtc144w series.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC144W seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2004 Aug 17Supersedes data of 2004 Mar 23NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC144W seriesR1 = 47 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pdtc144wef pdtc144wk pdtc144ws.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC144W seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2004 Aug 17Supersedes data of 2004 Mar 23NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC144W seriesR1 = 47 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
