Справочник транзисторов. PDTD113ZT

 

Биполярный транзистор PDTD113ZT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTD113ZT
   Маркировка: *7V_-7V_p7V_t7V_W7V
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для PDTD113ZT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTD113ZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  philips
 pdtd113zt.pdf pdf_icon

PDTD113ZT

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

 7.1. Size:123K  philips
 pdtd113e ser.pdf pdf_icon

PDTD113ZT

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 7.2. Size:123K  nxp
 pdtd113ek pdtd113es.pdf pdf_icon

PDTD113ZT

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 8.1. Size:49K  motorola
 pdtd114et 4.pdf pdf_icon

PDTD113ZT

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC144VM , PDTC144VT , PDTC144VU , PDTC144WE , PDTC144WM , PDTC144WT , PDTC144WU , PDTD113ET , D880 , PDTD123ET , PDTD123TT , PDTD123YT , PEMB1 , PEMB10 , PEMB11 , PEMB13 , PEMB14 .

History: RN1964CT | BC184K | BFV84

 

 
Back to Top

 


 
.