Биполярный транзистор PDTD113ZT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTD113ZT
Маркировка: *7V_-7V_p7V_t7V_W7V
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для PDTD113ZT
PDTD113ZT Datasheet (PDF)
pdtd113zt.pdf
PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des
pdtd113e ser.pdf
PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT
pdtd113ek pdtd113es.pdf
PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo
pdtd114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
