Справочник транзисторов. PEMH16

 

Биполярный транзистор PEMH16 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PEMH16
   Маркировка: 5K
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT666
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PEMH16 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  nxp
 pemh16 pumh16.pdf pdf_icon

PEMH16

PEMH16; PUMH16NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 47 kRev. 04 15 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complementNXP JEITAPEMH16 SOT666 - PEMD16 PEMB16PUMH16 SOT363 SC-88 PUMD16 PUMB161.2 Featu

 9.1. Size:137K  philips
 pemh10 pumh10.pdf pdf_icon

PEMH16

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.2. Size:136K  philips
 pemh1 pumh1.pdf pdf_icon

PEMH16

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH1; PUMH1NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 9.3. Size:137K  philips
 pemh11 pumh11.pdf pdf_icon

PEMH16

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH11; PUMH11NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH11; PUMH11R1 = 10 k, R2 = 10 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MJE13003I

 

 
Back to Top

 


 
.