PEMH18 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PEMH18  📄📄 

Маркировка: 6C

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PEMH18

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PEMH18 даташит

 ..1. Size:605K  nxp
 pemh18 pumh18.pdf pdf_icon

PEMH18

PEMH18; PUMH18 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 10 k Rev. 4 19 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP Package complement complement configuration NXP J

 9.1. Size:137K  philips
 pemh10 pumh10.pdf pdf_icon

PEMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH10; PUMH10 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.2. Size:136K  philips
 pemh1 pumh1.pdf pdf_icon

PEMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH1; PUMH1 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 22 k Product data sheet 2003 Oct 08 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1 R1 = 22 k , R2 = 22 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 9.3. Size:137K  philips
 pemh11 pumh11.pdf pdf_icon

PEMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH11; PUMH11 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k , R2 = 10 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH11; PUMH11 R1 = 10 k , R2 = 10 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PEMH1, PEMH10, PEMH11, PEMH13, PEMH14, PEMH15, PEMH16, PEMH17, 2SA1943, PEMH19, PEMH2, PEMH20, PEMH24, PEMH30, PEMH4, PEMH7, PEMH9