Справочник транзисторов. 2N5659

 

Биполярный транзистор 2N5659 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5659
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO59
 

 Аналог (замена) для 2N5659

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5659 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ssdi
2n5659.pdfpdf_icon

2N5659

 9.1. Size:176K  motorola
2n5655-57 2n5655 2n5656 2n5657.pdfpdf_icon

2N5659

Order this documentMOTOROLAby 2N5655/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N56552N5656Plastic NPN Silicon2N5657High-Voltage Power Transistor. . . designed for use in lineoperated equipment such as audio output amplifiers;lowcurrent, highvoltage converters; and AC line relays. 0.5 AMPEREPOWER TRANSISTORS Excellent DC Current Gain hFE = 30250 @ IC = 100 mAdcNP

 9.2. Size:497K  st
2n5657.pdfpdf_icon

2N5659

2N5657SILICON NPN TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N5657 is a silicon epitaxial-base NPNtransistor in Jedec SOT-32 plastic package. It isintended for use output amplifiers, low current,high voltage converters and AC line relays.123SOT-32INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value Un

 9.3. Size:44K  njs
2n5653 2n5654.pdfpdf_icon

2N5659

Другие транзисторы... 2N565 , 2N5650 , 2N5651 , 2N5652 , 2N5655 , 2N5656 , 2N5657 , 2N5658 , 2SC2655 , 2N566 , 2N5660 , 2N5661 , 2N5662 , 2N5663 , 2N5664 , 2N5664SM , 2N5665 .

History: TRD136D | KTC4793 | 2N5947 | 2N5424A | LBFT93 | FMMT619 | 2SC1549

 

 
Back to Top

 


 
.