2N5659 - описание и поиск аналогов

 

2N5659. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5659

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO59

 Аналоги (замена) для 2N5659

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5659 даташит

 ..1. Size:94K  ssdi
2n5659.pdfpdf_icon

2N5659

 9.1. Size:176K  motorola
2n5655-57 2n5655 2n5656 2n5657.pdfpdf_icon

2N5659

Order this document MOTOROLA by 2N5655/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5655 2N5656 Plastic NPN Silicon 2N5657 High-Voltage Power Transistor . . . designed for use in line operated equipment such as audio output amplifiers; low current, high voltage converters; and AC line relays. 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS Excellent DC Current Gain hFE = 30 250 @ IC = 100 mAdc NP

 9.2. Size:497K  st
2n5657.pdfpdf_icon

2N5659

2N5657 SILICON NPN TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N5657 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is intended for use output amplifiers, low current, high voltage converters and AC line relays. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Un

 9.3. Size:44K  njs
2n5653 2n5654.pdfpdf_icon

2N5659

Другие транзисторы: 2N565, 2N5650, 2N5651, 2N5652, 2N5655, 2N5656, 2N5657, 2N5658, 2SC945, 2N566, 2N5660, 2N5661, 2N5662, 2N5663, 2N5664, 2N5664SM, 2N5665

 

 

 

 

↑ Back to Top
.