Биполярный транзистор PRF949 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PRF949
Маркировка: V0
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC75
PRF949 Datasheet (PDF)
prf949.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PRF949UHF wideband transistorProduct specification 2000 Apr 03Supersedes data of 1999 Nov 02Philips Semiconductors Product specificationUHF wideband transistor PRF949FEATURES PINNING SOT416 (SC-75) Small sizePIN DESCRIPTION Low noise1 base Low distortion2 emitter High gain3 collector Gold metallization en
prf947.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETdbook, halfpageM3D102PRF947UHF wideband transistorProduct specification 1999 Jul 23Supersedes data of 1999 Mar 01Philips Semiconductors Product specificationUHF wideband transistor PRF947FEATURES PINNING Small sizePIN DESCRIPTION Low noise1 base Low distortion2 emitter High gain3 collector Gold metallization
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050