Справочник транзисторов. PUMH10

 

Биполярный транзистор PUMH10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PUMH10
   Маркировка: H*0
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PUMH10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  philips
pumh10 1.pdfpdf_icon

PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeMBD128PUMH10NPN resistor-equipped transistorsProduct specification 2000 Aug 01Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistors PUMH10FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 and 47 k)6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 ..2. Size:137K  philips
pemh10 pumh10.pdfpdf_icon

PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.1. Size:136K  philips
pemh1 pumh1.pdfpdf_icon

PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH1; PUMH1NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 9.2. Size:58K  philips
pumh11 4.pdfpdf_icon

PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMH11NPN resistor-equipped doubletransistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 Nov 26Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped double transistor PUMH11FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) No mutual interference between t

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: RT2N12M | DC5422 | 2SC233 | 2N5224 | DTA143XKA | TSD882CK | 2N3961

 

 
Back to Top

 


 
.