PUMH10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PUMH10 📄📄
Código: H*0
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT363
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PUMH10
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PUMH10 datasheet
pumh10 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge MBD128 PUMH10 NPN resistor-equipped transistors Product specification 2000 Aug 01 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistors PUMH10 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k ) 6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n
pemh10 pumh10.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH10; PUMH10 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX.
pemh1 pumh1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH1; PUMH1 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 22 k Product data sheet 2003 Oct 08 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1 R1 = 22 k , R2 = 22 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pumh11 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage MBD128 PUMH11 NPN resistor-equipped double transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 26 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped double transistor PUMH11 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) No mutual interference between t
Otros transistores... PUMD30, PUMD4, PUMD48, PUMD6, PUMD9, PUMF11, PUMF12, PUMH1, BD679, PUMH11, PUMH13, PUMH14, PUMH15, PUMH16, PUMH17, PUMH18, PUMH19
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: KTA712E
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a













