PUMH10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PUMH10  📄📄 

Código: H*0

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT363

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PUMH10 datasheet

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PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge MBD128 PUMH10 NPN resistor-equipped transistors Product specification 2000 Aug 01 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistors PUMH10 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k ) 6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 ..2. Size:137K  philips
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PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH10; PUMH10 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

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pemh1 pumh1.pdf pdf_icon

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH1; PUMH1 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 22 k Product data sheet 2003 Oct 08 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1 R1 = 22 k , R2 = 22 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 9.2. Size:58K  philips
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PUMH10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage MBD128 PUMH11 NPN resistor-equipped double transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 26 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped double transistor PUMH11 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) No mutual interference between t

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