Справочник транзисторов. PUMH18

 

Биполярный транзистор PUMH18 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PUMH18
   Маркировка: H5*
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PUMH18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  nxp
pemh18 pumh18.pdfpdf_icon

PUMH18

PEMH18; PUMH18NPN/NPN resistor-equipped transistors;R1 = 4.7 k, R2 = 10 kRev. 4 19 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP Package complement complement configurationNXP J

 9.1. Size:60K  philips
pumh10 1.pdfpdf_icon

PUMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeMBD128PUMH10NPN resistor-equipped transistorsProduct specification 2000 Aug 01Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistors PUMH10FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 and 47 k)6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 9.2. Size:137K  philips
pemh10 pumh10.pdfpdf_icon

PUMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.3. Size:136K  philips
pemh1 pumh1.pdfpdf_icon

PUMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH1; PUMH1NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N5109 | 2SA909 | 2SC2959 | MUN5116DW1T1G | 2SA1480E | 2N1196 | 2N4355

 

 
Back to Top

 


 
.