PUMH18 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PUMH18  📄📄 

Código: H5*

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 230 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT363

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PUMH18 datasheet

 ..1. Size:605K  nxp
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PUMH18

PEMH18; PUMH18 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = 10 k Rev. 4 19 December 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP PNP/PNP Package complement complement configuration NXP J

 9.1. Size:60K  philips
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PUMH18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge MBD128 PUMH10 NPN resistor-equipped transistors Product specification 2000 Aug 01 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistors PUMH10 FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k ) 6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 9.2. Size:137K  philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH10; PUMH10 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.3. Size:136K  philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH1; PUMH1 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k , R2 = 22 k Product data sheet 2003 Oct 08 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1 R1 = 22 k , R2 = 22 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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