Биполярный транзистор 2STA1695 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2STA1695
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 225 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO3P
2STA1695 Datasheet (PDF)
2sta1695.pdf
2STA1695High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STC4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC32Applications1 Audio power amplifierTO-3PDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor f
2sta1694.pdf
2STA1694High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -120 V Complementary to 2STC4467 Fast-switching speed Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC321ApplicationsTO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new Bi
2sta1837.pdf
2STA1837PNP power bipolar transistorPreliminary dataFeatures High breakdown voltage VCEO = -230 V Complementary to 2STC4793 High transition frequency, typical fT = 70 MHzApplications3 Audio power amplifier 21 Drive stage amplifierTO-220FPDescriptionThis device is a PNP transistor manufactured using new PB-HDC (power bipolar high density Figur
2sta1943.pdf
2STA1943High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO > -230V Complementary to 2STC5200 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifierTO-264DescriptionThis device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resultin
2sta1962.pdf
2STA1962High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -230 V Complementary to 2STC5242 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifier TO-3PDescriptionThis device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulti
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: GES5139
History: GES5139
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050