Справочник транзисторов. 2STA1943

 

Биполярный транзистор 2STA1943 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2STA1943
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 225 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO264
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2STA1943 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  st
 2sta1943.pdf pdf_icon

2STA1943

2STA1943High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO > -230V Complementary to 2STC5200 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifierTO-264DescriptionThis device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resultin

 8.1. Size:178K  st
 2sta1962.pdf pdf_icon

2STA1943

2STA1962High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -230 V Complementary to 2STC5242 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifier TO-3PDescriptionThis device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulti

 9.1. Size:142K  st
 2sta1694.pdf pdf_icon

2STA1943

2STA1694High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -120 V Complementary to 2STC4467 Fast-switching speed Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC321ApplicationsTO-3P Audio power amplifierDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new Bi

 9.2. Size:167K  st
 2sta1695.pdf pdf_icon

2STA1943

2STA1695High power PNP epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = -140 V Complementary to 2STC4468 Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC32Applications1 Audio power amplifierTO-3PDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SA795A | 2SA815 | 2SA1706T-AN | 3DG2413K | BC848CW-G | RT3YB7M

 

 
Back to Top

 


 
.