Справочник транзисторов. 2STC5949

 

Биполярный транзистор 2STC5949 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2STC5949
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO264
 

 Аналог (замена) для 2STC5949

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2STC5949 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  st
 2stc5949.pdf pdf_icon

2STC5949

2STC5949High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2STA2121 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oCApplication Audio power amplifierTO-264DescriptionThe device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor for linear

 7.1. Size:151K  st
 2stc5948.pdf pdf_icon

2STC5949

2STC5948High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2STA2120 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oC3Application21 Audio power amplifierTO-3PDescriptionThe device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagramusing new BiT-LA (Bipolar transistor for

 9.1. Size:182K  st
 2stc5200.pdf pdf_icon

2STC5949

2STC5200High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO > 230V Complementary to 2STA1943 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifierTO-264DescriptionThis device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulting

 9.2. Size:183K  st
 2stc5242.pdf pdf_icon

2STC5949

2STC5242High power NPN epitaxial planar bipolar transistorFeatures High breakdown voltage VCEO = 230 V Complementary to 2STA1962 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHzApplication321 Audio power amplifier TO-3PDescriptionThis device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resultin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: STA124SF

 

 
Back to Top

 


 
.