BUL312FP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL312FP
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO220FP
Аналоги (замена) для BUL312FP
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL312FP даташит
bul312fp.pdf
BUL312FP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125oC LARGE RBSOA FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING 3 2 1 APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR TV TO-220FP SMPS ELECTRO
bul312fp.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL312FP DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(SUS) = 500V(Min.) Low Collector Saturation Voltage VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 1A Very High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMU
bul312fh.pdf
BUL312FH HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Ordering Code Marking Shipment BUL312FH BUL312FH Tube HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125 C LARGE R.B.S.O.A. TO-220FH FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS
bul312.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUL312 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 500V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage V = 0.5V(Max) @ I = 1A CE(sat) C High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and lo
Другие транзисторы: BUF420AW, BUL1102E, BUL1203EFP, BUL128, BUL128DB, BUL128FP, BUL138, BUL310FP, 2N3055, BUL39D, BUL49D, BUL59, BUL654, BUL704, BUL705, BUL7216, BUL741
History: BUL49D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor




