BUL312FP - описание и поиск аналогов

 

BUL312FP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL312FP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220FP

 Аналоги (замена) для BUL312FP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL312FP даташит

 ..1. Size:150K  st
bul312fp.pdfpdf_icon

BUL312FP

BUL312FP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125oC LARGE RBSOA FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING 3 2 1 APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR TV TO-220FP SMPS ELECTRO

 ..2. Size:271K  inchange semiconductor
bul312fp.pdfpdf_icon

BUL312FP

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL312FP DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(SUS) = 500V(Min.) Low Collector Saturation Voltage VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 1A Very High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMU

 7.1. Size:200K  st
bul312fh.pdfpdf_icon

BUL312FP

BUL312FH HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Ordering Code Marking Shipment BUL312FH BUL312FH Tube HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125 C LARGE R.B.S.O.A. TO-220FH FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING APPLICATIONS

 8.1. Size:211K  inchange semiconductor
bul312.pdfpdf_icon

BUL312FP

isc Silicon NPN Power Transistor BUL312 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = 500V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage V = 0.5V(Max) @ I = 1A CE(sat) C High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in lighting applications and lo

Другие транзисторы: BUF420AW, BUL1102E, BUL1203EFP, BUL128, BUL128DB, BUL128FP, BUL138, BUL310FP, 2N3055, BUL39D, BUL49D, BUL59, BUL654, BUL704, BUL705, BUL7216, BUL741

 

 

 

 

↑ Back to Top
.