Биполярный транзистор BUL59 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL59
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6
Корпус транзистора: TO220
BUL59 Datasheet (PDF)
bul59.pdf
BUL59 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESSAPPLICATIONS ELECTRONIC TRANSFORMERS FOR32HALOGEN LAMPS1 SWITCH MODE POWER SUPPLIESTO-220DESCRIPTIONThe BUL59 is manufactured using high voltageMulti Epitaxial Mesa technol
bul59.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUL59 DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS) = 400V(Min.) Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 2A High Speed Switching APPLICATIONSDesigned for use in lighting applications and low cost switch- mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
