BUL705. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUL705

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BUL705

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL705 даташит

 ..1. Size:271K  st
 bul705.pdf pdf_icon

BUL705

BUL705 High voltage fast-switching NPN Power Transistor General features NPN Transistor High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 3 Fully characterized at 125 C 2 1 In compliance with the 2002/93/EC European TO-220 Directive Description The device is manufactu

 9.1. Size:263K  st
 bul704.pdf pdf_icon

BUL705

BUL704 High voltage fast-switching NPN Power Transistor General features NPN Transistor High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 3 In compliance with the 2002/93/EC European 2 1 Directive TO-220 Description The device is manufactured using high voltage Multi-Epitax

 9.2. Size:14K  semelab
 bul70a.pdf pdf_icon

BUL705

BUL70A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 0.32 0.24 HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR 0.10 0.02 16 13 max. Designed for use in 1.70 electronic ballast applications max. 10 max. SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE 6.7 6.3 3.1 HIGH VOLTAGE 2.9 FAST SWITCHING 4 HIGH ENERGY RATING 3.7 7.3

Другие транзисторы: BUL138, BUL310FP, BUL312FP, BUL39D, BUL49D, BUL59, BUL654, BUL704, 2SA1943, BUL7216, BUL741, BUL742C, BUL85D, BUL89, BUL903ED, BUL903EDFP, BULB128