BULD741. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BULD741

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 48

Корпус транзистора: DPAK

 Аналоги (замена) для BULD741

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BULD741 даташит

 ..1. Size:309K  st
 buld741.pdf pdf_icon

BULD741

BULD741 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 3 3 2 1 Description 1 The device is manufactured using high voltage DPAK IPAK Multi-Epitaxial Planar technology for high TO-252 TO-251 switching speeds and high vol

 8.1. Size:313K  st
 buld742c.pdf pdf_icon

BULD741

BULD742C High voltage fast-switching NPN power transistor Features Low spread of dynamic parameters High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 3 1 Applications DPAK Electronic ballast for fluorescent lighting Switch mode power supplies Description The device is manufactured using high voltage Figure 1

Другие транзисторы: BUL903EDFP, BULB128, BULB39D, BULB49D, BULB7216, BULB742C, BULD118D, BULD39D-1, 13003, BULD742C, BULK128DB, BUT30V, BUT70W, BUTW92, BUXD87, D44H11FP, D45H11FP