Биполярный транзистор HD1750JL Даташит. Аналоги
Наименование производителя: HD1750JL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5.5
Корпус транзистора: TO264
- подбор биполярного транзистора по параметрам
HD1750JL Datasheet (PDF)
hd1750jl.pdf

HD1750JLVery high voltage NPN power transistor for high definition and slimCRT displayPRELIMINARY DATAFeatures State-of-the-art technology: diffused collector enhanced generation EHVS1 Wider range of optimum drive conditions Less sensitive to operating temperature variation In compliance with the 2002/93/EC European 32directive1TO-264Description
hd1750fx.pdf

HD1750FXHIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR FOR HIGHDEFINITION AND NEW SUPER-SLIM CRT DISPLAYS STATE-OF-THE-ART TECHNOLOGY: Figure 1: PackageDIFFUSED COLLECTOR "ENHANCED GENERATION" EHVS1 WIDER RANGE OF OPTIMUM DRIVE CONDITIONS LESS SENSITIVE TO OPERATING TEMPERATURE VARIATION FULLY INSULATED POWER PACKAGE U.L. COMPLIANTAPPLICATIONSISOWATT218FX HORIZONTA
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: HA7631 | CMXT2207



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt