ST600K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ST600K
Маркировка: 600K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT32
Аналоги (замена) для ST600K
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
ST600K даташит
st600k.pdf
ST600K LOW VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Features LOW SATURATION VOLTAGE Applications SCANNING VELOCITY MODULATION IN CRT DISPLAYS MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING 1 APPLICATIONS 2 3 SOT-32 Description (TO-216) The ST600K is manufactured by low voltage Epitaxial Base technology and it is housed in SOT-32 plastic package. The complementary PNP ty
wst6002.pdf
WST6002 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6002 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 30V 5 100mA for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6002 meet the RoHS and Green Product requirement with full func
wst6008.pdf
WST6008 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WST6008 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 30V 140m 154mA gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WST6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full
wst6003.pdf
WST6003 P-Ch MOSFET Product Summery Features D TrenchFETr Power MOSFET 1.8-V Rated BVDSS RDSON ID D Gate-Source ESD Protected 2000 V D High-Side Switching -20V 1200m -0.35A D Low On-Resistance 1.2 W D Low Threshold 0.8 V (typ) D Fast Switching Speed 14 ns Applications D S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirement
Другие транзисторы: ST13003K, ST13005, ST13005N, ST13007, ST13007D, ST13007DFP, ST1510FX, ST4460FX, S9013, ST631K, ST83003, ST8812FX, ST901T, ST93003, STB13005, STB13007DT4, STBV32
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10




